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氮化镓PIN外延片采购公告

氮化镓PIN外延片已具备采购条件,现公开邀请供应商参加谈判采购活动。

  1. 采购项目简介
    1. 采购项目名称:氮化镓PIN外延片
    2. 项目编号:CIAE-WZ-GKJT-25-2616。

内部编号:ZKX20250801C743。

  1. 采购单位:中国原子能科学研究院。
  2. 采购代理机构:中科信工程咨询(北京)有限责任公司。
  3. 采购项目资金落实情况:资金来源已落实。
  4. 采购项目概况:本项目拟完成氮化镓材料的P-I-N结型材料及用于微型核电池的能量转换器件的工艺开发与样品制备。该氮化镓材料及器件可实现核电池的能量转换功能,并满足高开路电压低漏电及相应的规格尺寸要求。
  5. 采购方式:谈判采购。
  6. 成交供应商数量及份额:1家、100%。
  1. 采购范围及相关要求
    1. 采购范围:

2.1.1采购内容

(1)依据需方对GaN外延片的技术指标,形成2英寸GaN-PIN结材料外延工艺方案,经需方确认后,开展多批次GaN-PIN结材料外延生长工艺,并完成相应表征测试;

(2)依据需方提供的GaN换能器件设计图形,形成2英寸GaN换能器件光刻版图及工艺流程方案,经确认后开展多批次GaN换能器件制备工艺,并完成相应表征测试。

2.1.2 技术要求

交付成果需满足如下技术指标:

(1)GaN外延片参数:

尺寸规格:2inch 晶圆;

P-GaN厚度:70nm~120nm;

GaN厚度:250~400纳米;

N-GaN厚度:1500~3000nm。

(2)GaN换能器件技术指标

尺寸规格:方形,总尺寸≥(8*8)mm2

器件漏电流≤(1E-8)A.cm-2

器件开启电压≥1.0V。

  1. 交货期:(1)合同签订后5天内,双方确认GaN-PIN结材料外延工艺参数设计方案及GaN器件光刻版图及工艺流程方案;(2)合同签订后20天内,向需方提交至少1批次外延片及器件样品及相应技术文件;双方确认并修订技术方案升版;(3)合同签订后60天内,向需方提供规定数量的GaN外延片、稳定性验证器件样品及相应技术文件。
  2. 交货地点:中国原子能科学研究院院内指定地点。
  3. 货物质量标准或主要技术性能指标:满足谈判采购文件要求。
  1. 供应商资格要求
    1. 供应商应依法设立且具备承担本采购项目的资质条件、能力和信誉:
  1. 本次采购要求供应商具有独立承担民事责任能力的在中华人民共和国境内注册的法人或其他组织,具备有效的营业执照或事业单位法人证书或其它营业登记证书。
  2. 供应商具有半导体外延工艺相关试验或供货业绩,至少提供1项相关业绩资料(合同或任务书复印件)。
  3. 供应商单位及人员应具有氮化镓基半导体材料研发相关技术能力与工作经验,应具备氮化镓P-I-N结型半导体材料的外延工艺、氮化镓器件的图形化制备工艺的工装条件、工艺设计与制备能力,以及相关分析表征、优化改进等科研能力,供应商承诺满足上述要求,在响应文件中提供承诺函(格式自拟并加盖单位章)。

(4)信誉要求:

 a.在最近三年内未发生重大产品质量问题(以相关行业主管部门的行政处罚决定或司法机关出具的有关法律文书为准);

 b.未被工商行政管理机关在全国企业信用信息公示系统(http://www.gsxt.gov.cn/)中列入严重违法失信企业名单;

 c.未在“信用中国”网站(www.creditchina.gov.cn)或各级信用信息共享平台中列入失信被执行人名单;在最近三年内供应商或其法定代表人、拟委任的项目负责人无行贿犯罪行为;

 d.未被中核集团及院纳入黑名单、灰名单等(不包含已释放的);

 e.不存在核安全监管“两个零容忍”情形,被核安全监管部门明确停工处罚的,或即将面临停工处罚的。

(5)其他:a.供应商在**

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联系人:张晟

手 机:13621182864

邮 箱:zhangsheng@zgdlyzc.com


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