原公告的采购项目编号:OITC-G250163703
原公告的采购项目名称:中国科学院近代物理研究所超长高度多弧离子镀膜机竞争性磋商采购项目
首次公告日期:2025年11月26日
二、更正信息
更正事项:采购文件
更正内容:
一、将采购文件部分指标更正如下:
| 序号 |
位置 |
原指标 |
修改为指标 |
| 1 |
2.2镀膜源系统中(2) |
*磁控靶数量≥4个,每支靶的有效镀膜高度不≥1 m,有效镀膜直径≥0.8 m,其中强磁靶数量≥2个,可用于溅射磁性金属材料如:Ni、Co、Fe合金; |
*磁控靶数量≥4个,每支靶的有效镀膜高度≥1 m,有效镀膜直径≥0.8 m,其中强磁靶数量≥2个,可用于溅射磁性金属材料如:Ni、Co、Fe合金; |
| 2 |
3.5技术服务条款 |
设备质保期≥12个月(设备交付验收后)。 |
删除。 |
二、更正两处错别字,如下:
| 序号 |
位置 |
原表述 |
更正后 |
| 1 |
2.6中(1) |
转架系统设计需要满足聚合物基底围城的圆筒外壁在有效镀膜区域内,转架结构设计合理,上下料操作省力、简单,包含必要的上下料工具和配件。 |
转架系统设计需要满足聚合物基底围成的圆筒外壁在有效镀膜区域内,转架结构设计合理,上下料操作省力、简单,包含必要的上下料工具和配件。 |
| 2 |
2.6中(4) |
△腔体内加热管布局合理,加热管密度越高越高,位置设计合理,不占用有效镀膜区域。 |
△腔体内加热管布局合理,加热管密度越高越好,位置设计合理,不占用有效镀膜区域。 |
三、获取采购时间更正为:2025年11月26日 至 2025年12月08日,每天上午9:00至11:00,下午13:00至17:00。(**
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联系人:张晟
手 机:13621182864
邮 箱:zhangsheng@zgdlyzc.com